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11.
利用拟合实测的TEMP Ⅱ型加速器磁绝缘二极管(MID)电压波形及其焦点附近束流密度曲线,建立了Gaussian分布模型,据此计算了与靶作用的离子的能量及数量,采用Monte Carlo(MC)方法计算了沉积在靶内的能量.并以此作为热源,与流体动力学(HD)模型相结合,对不同的靶状态采用相应的状态方程,模拟计算了靶内压力演化情况; 同时对烧蚀产生的等离子体采用理想气体状态方程, 结合HD方程组, 模拟计算了喷发过程中压力的空间演化过程.
关键词:
强流脉冲离子束
Gaussian模型
HD方程
数值研究 相似文献
12.
13.
在北京同步辐射装置(BSRF)1W1B光束线和XAFS实验站上国内首次建立了硬X射线波段的磁圆二色实验(XMCD)方法. 以单晶金刚石作为相位延迟片, 在透射劳埃(Laue)模式下, 利用衍射双折射效应, 将入射的单色线偏振光转变为相应的左旋和右旋圆偏振光, 测量磁化样品对左旋和右旋圆偏振光吸收的差异, 获得了XMCD信号. 本实验使用透射方法测量了Pt-Fe合金Pt L2,3边的XMCD, 获得了XMCD信号. XMCD实验方法的建立, 为研究磁性材料尤其是磁性薄膜材料的电子结构和磁结构提供了实验基础. 相似文献
14.
不完全信息群体决策专家权重的集结 总被引:8,自引:5,他引:3
本文对于属性权重信息和属性效用信息都不完全的群体多属性决策问题,通过构造属性值区间和运用系统聚类分析法,对群体决策中的专家进行分类,并确定每位专家的权重. 相似文献
15.
以CF4和C6H6的混合气体作为气源,在微波电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜(aC:F),并在N2气氛中作了退火处理以考察其热稳定性.通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对含量和光学带隙,发现膜中CC键含量与光学带隙之间存在着密切的关联,在高微波功率下沉积的氟化非晶碳膜具有低的光学带隙和较好的热稳定性.
关键词:
氟化非晶碳膜
光学带隙
退火温度
热稳定性 相似文献
16.
应用带完全匹配层边界条件的全矢量有限元方法,分析了高折射率椭圆芯布拉格光纤的偏振特性,详细讨论了光纤结构参量对模式双折射度以及群速度走离的影响,结果发现:高折射率椭圆芯布拉格光纤的模式双折射度可达10-2量级,比传统保偏光纤至少高出一个量级,并且表现出不同于传统保偏光纤的群速度走离特性;在保持较高双折射度的同时,通过合理的结构设计,可在一定的波长处灵活地获得较大的群速度走离或零走离特性,具有重要的潜在应用价值;最后,简要分析了低折射率区域的折射率变化对偏振特性的影响;研究结果有助于设计高性能的微结构保偏光纤。 相似文献
17.
本文首先将文[1]中的BLD映射推广为弱(L1,L2)-BLD映射,并证明了如下正则性结果:存在两个可积指数 P1=P1(n,L1,L2)<n<q1=q1(n,L1,L2),使得对任意弱(L1,L2)-BLD映射f∈(Ω,Rn),都有f∈(Ω,Rn),即f为(L1,L2)-BLD映射. 相似文献
18.
L.V. Zolotukhina Ye.V. ZabolotskayaYe.V. Arkhipova M.G. Zuev 《Journal of Physics and Chemistry of Solids》2002,63(3):415-418
Phase equilibria in the Sc2O3-V2O5-Nb2O5-Ta2O5 system and properties of ScNb2−2xTa2xVO9 phases were studied by X-ray phase analysis, optical and radio spectroscopy. A continuous series of solid solutions was shown to exist at 0≤x≤1. V(IV) centers with different crystallographic surrounding were detected for all the considered compositions. A correlation between the number of V(IV) ions and the width of the forbidden gap in the solid solutions was found. 相似文献
19.
Characterizations of Tb:Zn2SiO4 films on silicon wafer prepared by sol-gel dip-coating and solid-phase reaction 下载免费PDF全文
Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV-Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms. 相似文献
20.
Amorphous silver, copper, gold, and iron films of a thickness between 6 and 350 nm are grown on polymeric substrates by vacuum
evaporation. The nanostructure of the films is investigated. The dependence of the conductivity on the film thickness is obtained,
and a correlation between the surface morphology and the conductivity is established. 相似文献